סיליקון קרביד מוליך למחצה-מכניס את העתיד
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ ω · ס"מ, צפיפות מיקרופיפ:<1 cm⁻²
חספוס פני השטח: RA פחות או שווה ל- 0. 2nm (מוכן EPI) הפליקים של 150 מ"מ N-Type (4 מעלות מחוץ לציר) מאפשרים ייצור MOSFET של 3.3 קילוואט עם 99.7% שיעורי תשואה, קריטי לתשתית טעינה של EV.
יישומים שונה
SIC מסומם: אלומיניום (5x10⁸ אטומים/ס"מ rem
SIC מצעים אפיטקסיאליים: 10-100 עובי מיקרומטר עם פחות או שווה לשונות עובי של 5%
Quantum-grade SiC: NV center density >500/מ"מ אקום לחישה קוונטית
פרמטרים של סיליקון קרביד
|
סִימָן מִסחָרִי |
ז'נאן |
|
מוּצָר |
סיליקון קרביד |
|
טוֹהַר |
88% 90% 98% |
|
צוּרָה |
חצץ ואבקה |
|
קוד HS |
284920 |
מנהיגות איכותית
הפעלה כיתה 1 0 0 חדרי נקייה (ISO 14644-1), אנו מיישמים בקרות תהליכים VDA 6.3 ותאימות למחצה S2/S8. בשיתוף עם מכון Fraunhofer, פיתחנו טכנולוגיית מיפוי פגמים קניינית בהשגת רמות זיהום מתכתי של 0.02ppb. ערכות משלוח הפקיקה שלנו כוללות קלטות אטומות חנקן עם מעקב אחר לחות בזמן אמת.
תגיות פופולריות: סיליקון קרביד לחומר שוחקים עקשן, קרביד סיליקון סין ליצרני חומרי חומרי עקשן, ספקים, מפעל