סיליקון קרביד בדרגת מוליכים למחצה - מניע את העתיד
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·cm, צפיפות מיקרו-צינור:<1 cm⁻²
חספוס פני השטח: Ra פחות או שווה ל-0.2nm (מוכנות ל-EPI) פרוסות 150 מ"מ מסוג N שלנו (4 מעלות מחוץ לציר) מאפשרות ייצור 3.3kV SiC MOSFET עם שיעורי תפוקה של 99.7%, קריטי עבור תשתית טעינת EV.
אפליקציות ששונו
SiC מסומם: אלומיניום (5x10¹⁸ אטומים/ס"מ³) למגעים אוהמיים
מצעים אפיטקסיאליים של SiC: עובי של 10-100 מיקרומטר עם וריאציה של פחות או שווה ל-5% בעובי
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ עבור חישה קוונטית
פרמטרים של סיליקון קרביד
|
סִימָן מִסחָרִי |
ZhenAn |
|
מוּצָר |
סיליקון קרביד |
|
טוֹהַר |
88% 90% 98% |
|
צוּרָה |
גריט ואבקה |
|
קוד HS |
284920 |
מנהיגות איכותית
ב-Class 100 חדרים נקיים (ISO 14644-1), אנו מיישמים בקרות תהליך VDA 6.3 ותאימות SEMI S2/S8. בשיתוף עם מכון Fraunhofer, פיתחנו טכנולוגיית מיפוי פגמים קניינית המשיגה רמות זיהום מתכתי של 0.02ppb. ערכות משלוח הפרוסים שלנו כוללות קסטות אטומות בחנקן עם מעקב אחר לחות בזמן אמת.
תגיות פופולריות: סיליקון קרביד לחומר שוחקים עקשן, יצרנים, ספקים, מפעלים, סיליקון קרביד לחומרי שוחקים עקשן