האם במפעלי פלדה ספרדיים, האם התאוששות סגסוגת לא יציבה משפיעה על יעילות-ייצור נמוכה של פלדה מסגסוגת במערכות EAF?

1. הבדלי אובדן של סגסוגת BOF ו-EAF

במערכות BOF לייצור פלדה ומערכות EAF:

אובדן חמצון סגסוגת משתנה באופן משמעותי

שריפת הסיליקון-מתגברת במהלך תנאי סיגים לא יציבים

שחזור פחמן הופך לבלתי עקבי

2. התאוששות לקויה של מסיר חמצון עבור פלדה מותכת

כאשר התאוששות הסגסוגת אינה יציבה:

יעילות מסיר החמצון יורדת

רמות החמצן משתנות בפלדה מותכת

תכולת ההכללה עולה בפלדה הסופית

3. חוסר יציבות בתוספת פחמן

תוספת פחמן לא יציבה בייצור פלדה מובילה ל:

ביצועים לא עקביים של סגסוגת שחרור פלדת פחמן

קשיות לא אחידה בקבוצות-נמוכות של פלדה מסגסוגת

וריאציה בכימיה של פלדה HSLA

4. חוסר יעילות בתגובת תנור

שחזור לא יציב גורם:

מחזורי זיקוק איטיים יותר

חומר זיקוק לא עקבי לביצועי פלדה מותכת

צריכת אנרגיה גבוהה יותר לכל חום

1. התנהגות סגסוגת כפולה מבוקרת

סגסוגת פחמן סיליקון פועלת כ:

מסיר חמצון עבור פלדה מותכת

תוספת פחמן בסוכן לייצור פלדה

חומר זיקוק לפלדה מותכת

זה מפחית את ההסתמכות על כניסות סגסוגת נפרדות.

2. יעילות אלמנט סגסוגת משופרת

בהשוואה למערכות מסורתיות:

שיעור ניצול סיליקון גבוה יותר

אובדן חמצון מופחת בשלב הסיגים

אלמנט סגסוג משופר לעקביות פלדת LSA

3. קינטיקה של תגובת תנור יציבה

סגסוגת Si-C משפרת:

הפצת תוספים מסגסוגת טחנת פלדה

יציבות אינטראקציה של-מתכת סיגים

התנהגות עקבית של תגובת תנור

4. צריכה מופחתת של תוספים קונבנציונליים

זה עוזר להפחית:

שימוש מוגזם בסגסוגת מפלדת פחמן לסילוק חמצון

תלות בסגסוגת תחליפי פרוסיליקון

חוסר יעילות במערכות תוספים מתכות יציקה

דרגת סגסוגת Si35 Si-C

45% סגסוגת פחמן סיליקון

ייצור פלדה מסגסוגת Si55 SiC

סגסוגת סיליקון גבוהה-C

סגסוגת Si-C בדרגה גבוהה

תכולת פחמן מסגסוגת פחמן סיליקון

10–50 מ"מ גושים סי-C

סגסוגת ייצור פלדה בגודל 10-60 מ"מ

אבקת סגסוגת פחמן סיליקון

חומר Si-C מרוסק

סגסוגת Si-C עם טומאה נמוכה

סגסוגת פחמן סיליקון לייצור פלדה בתנור קשת חשמלי

סיליקון גבוה בפחמן לסילוק חמצון פלדה

Si35 לעומת סגסוגת סיליקון פחמן 45%.

Si35: יעילות התאוששות נמוכה יותר, מתאים לדרגות פלדה בסיסיות

45% Si-C: התאוששות מאוזנת והתנהגות תנור יציבה

כיתה של 45% מפחיתה אובדן סגסוגת במערכות EAF

45% Si-C לעומת סגסוגת Si55 בדרגה גבוהה

45% Si-C: ייצור פלדה מסגסוגת נמוכה-תקני

Si55: יעילות התאוששות גבוהה יותר ועקביות טובה יותר

Si55 מועדף עבור מערכות תוספים לייצור פלדה HSLA

Si-C Alloy לעומת תוספים רגילים של BOF/EAF

סגסוגת Si-C: פונקציה כפולה-, יציבות התאוששות גבוהה יותר

תוסף רגיל לייצור פלדה BOF: שיעור אובדן גבוה יותר

Si-C מפחית את השונות בתהליך הסגסוגת